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記憶曲線背單詞時(shí)間表,艾賓浩斯曲線記憶法的優(yōu)點(diǎn)

  • 單詞什么意思
  • 2023-11-07

記憶曲線背單詞時(shí)間表?1、第一個(gè)記憶周期:5分鐘2、第二個(gè)記憶周期:30分鐘3、第三個(gè)記憶周期:12小時(shí)4、第四個(gè)記憶周期:1天5、第五個(gè)記憶周期:2天6、第六個(gè)記憶周期:4天7、第七個(gè)記憶周期:7天8、那么,記憶曲線背單詞時(shí)間表?一起來了解一下吧。

艾賓浩斯21天背誦表表格

一般的方法是1(當(dāng)天)、2(第2天)、4、7、14、28、60,也是7步復(fù)習(xí),換句話就是某一天的當(dāng)天、前1天(即昨天)、前3天、前6天、前13天、前27天和前59天。實(shí)際上就是需要當(dāng)天、第2天、半周、周、半月、月、2個(gè)月復(fù)習(xí)。

艾賓浩斯記憶法的含義:信息輸入大腦后,遺忘也就隨之開始了。遺忘率隨時(shí)間的流逝而先快后慢,特別是在剛剛識(shí)記的短時(shí)間里,遺忘最快,這就是著名的艾賓浩斯遺忘曲線。遵循艾賓浩斯遺忘曲線所揭示的記憶規(guī)律,對(duì)所學(xué)知識(shí)及時(shí)進(jìn)行復(fù)習(xí),這種記憶方法即為艾賓浩斯記憶法。 對(duì)所學(xué)知識(shí)和記憶效果及時(shí)進(jìn)行復(fù)習(xí)和自測(cè)是艾賓浩斯記憶法的主要方式。艾賓浩斯記憶法也是遺忘曲線;一個(gè)小時(shí)后就會(huì)遺忘;在一個(gè)小時(shí)內(nèi)回想就可以記住那個(gè)東西;最好一天之后再回想;三天之后再回想就可以了。

艾賓浩斯(Hermann Ebbinghaus,1850-1909)是德國的一位著名心理學(xué)家,他在1885年發(fā)表了他的實(shí)驗(yàn)報(bào)告后,人們接觸到的信息在經(jīng)過人的學(xué)習(xí)后。艾賓浩斯曾經(jīng)做了一個(gè)非常著名的實(shí)驗(yàn)——他選用了一些沒有意義的音節(jié),毫無規(guī)律的的字母組合,如asww,cfhhj,ijikmb,rfyjbc等等。他通過自我測(cè)試,得到了一些數(shù)據(jù)(如下圖所示):

然后,艾賓浩斯又根據(jù)了這些點(diǎn)描繪出了一條曲線這就是非常有名的揭示遺忘規(guī)律的曲線。

艾賓浩斯曲線記憶法的優(yōu)點(diǎn)

艾賓浩斯記憶法是遵循艾賓浩斯遺忘曲線所揭示的記憶規(guī)律,對(duì)所學(xué)知識(shí)及時(shí)進(jìn)行復(fù)習(xí),這種記憶方法即為艾賓浩斯記憶法。

復(fù)習(xí)點(diǎn)的確定:

1、第一個(gè)記憶周期:5分鐘。

2、第二個(gè)記憶周期:30分鐘。

3、第三個(gè)記憶周期:12小時(shí)。

4、第四個(gè)記憶周期:1天。

5、第五個(gè)記憶周期:2天。

6、第六個(gè)記棚陵憶周期:4天。

7、第七個(gè)記憶周期:7天。

8、第八個(gè)記憶周期:15天。

背誦方法及復(fù)習(xí)過程:

背誦方法:

初記單詞時(shí)需要記憶的內(nèi)容:?jiǎn)卧~外觀、單詞的中文釋義、單詞的記憶法。每個(gè)list的具體背誦過程,背完一頁,立即返回該頁第一個(gè)單詞開始復(fù)習(xí)。b按上面方法背完1~6頁,回到第1頁開始復(fù)習(xí)。

復(fù)習(xí)過程:

遮住中文釋義,盡力回憶該單詞的意思,幾遍下來都記不住的單詞可以做記號(hào)重點(diǎn)記憶。復(fù)習(xí)一個(gè)list所需的時(shí)間為20分鐘以內(nèi)。當(dāng)天的list最好在中午之前背完,大約12小時(shí)之后(最好睡覺前)復(fù)習(xí)當(dāng)天所背的list。在其后的1,2,4,7,15天后分別復(fù)習(xí)當(dāng)日所背的list。

1 2 4 7 15記憶規(guī)律怎么安排

很多人會(huì)被背單詞難住,不知道要怎么背單詞記憶效果才好?其實(shí),利用艾賓浩斯遺忘曲線背單詞也是有方法可循的,下面我為你整理艾賓浩斯英語單詞記憶法,希望能幫到你。

艾賓浩斯記憶曲線背單詞

一、 復(fù)習(xí)點(diǎn)的確定(根據(jù)艾賓浩斯記憶曲線制定):

1. 第一個(gè)記憶周期:5分鐘

2. 第二個(gè)記憶周期:30分鐘

3. 第三個(gè)記憶周期:12小時(shí)

4. 第四個(gè)記憶周期:1天

5. 第五個(gè)記憶周期:2天

6. 第六個(gè)記憶周期:4天

7. 第七個(gè)記憶周期:7天

8. 第八個(gè)記憶周期:15天

二、賓浩斯記憶曲線背誦單詞的方法

1. 初記單詞時(shí)需要記憶的內(nèi)容:

a)單詞外觀,b) 單詞的中文釋義,c) 單詞的記憶法

2. 每個(gè)list的具體背誦過程(每個(gè)list按12頁,每頁10個(gè)單詞計(jì)):

a) 背完一頁(大約5分鐘),立即返回該頁第一個(gè)單詞開始復(fù)習(xí)(大約幾十秒)

b) 按上面方法背完1~6頁(大約在30分鐘),回到第1頁開始復(fù)習(xí)(兩三分鐘)

c) 按上面同樣方法背完7~12頁,一個(gè)list結(jié)束

d) 相當(dāng)于每個(gè)list被分為12個(gè)小的單元,每個(gè)小的單元自成一個(gè)復(fù)習(xí);每6個(gè)小單元組成一個(gè)大單元,2個(gè)大單元各自成為一個(gè)復(fù)習(xí)。

艾賓浩斯背書計(jì)劃表

根據(jù)我們所知道的,記憶的保持在時(shí)間上是不同的,有短時(shí)的記憶和長時(shí)的記憶兩種。下面是我為你整理的艾賓浩斯單詞記憶法,希望對(duì)你有幫助!

一、 復(fù)習(xí)點(diǎn)的確定(根據(jù)艾賓浩斯記憶曲線制定):

1. 第一個(gè)記憶周期:5分鐘

2. 第二個(gè)記憶周期:30分鐘

3. 第三個(gè)記憶周期:12小時(shí)

4. 第四個(gè)記憶周期:1天

5. 第五個(gè)記憶周期:2天

6. 第六個(gè)記憶周期:4天

7. 第七個(gè)記憶周期:7天

8. 第八個(gè)記憶周期:15天

二、背誦方法:

1. 初記單詞時(shí)需要記憶的內(nèi)容:

a)單詞外觀,b) 單詞的中文釋義,c) 單詞的記憶法

2. 每個(gè)list的具體背誦過程(每個(gè)list按12頁,每頁10個(gè)單詞計(jì)):

a) 背完一頁(大約5分鐘),立即返回該頁第一個(gè)單詞開始復(fù)習(xí)(大約幾十秒)

b) 按上面方法背完1~6頁(大約在30分鐘),回到第1頁開始復(fù)習(xí)(兩三分鐘)

c) 按上面同樣方法背完7~12頁,一個(gè)list結(jié)束

d) 相當(dāng)于每個(gè)list被分為12個(gè)小的單元,每個(gè)小的單元自成一個(gè)復(fù)習(xí);每6個(gè)小單元組成一個(gè)大單元,2個(gè)大單元各自成為一個(gè)復(fù)習(xí)。背一個(gè)list總共需要一小時(shí)左右的時(shí)間。

3. 復(fù)習(xí)過程:

a) 復(fù)習(xí)方法:遮住中文釋義,盡力回憶該單詞的意思,幾遍下來都記不住的單詞可以做記號(hào)重點(diǎn)記憶。

記憶曲線背單詞計(jì)劃表

艾賓浩斯遺忘曲線背單詞計(jì)劃表:

1、 第一個(gè)記憶周期:5分鐘。

2、 第二個(gè)記憶周期:30分鐘。

3、 第三個(gè)記憶周期:12小時(shí)。

4、 第四個(gè)記憶周期:1天。

5、 第五個(gè)記憶周期:2天。

6、 第六個(gè)記憶周期:4天。

7、 第七個(gè)記憶周期:7天。

8、 第八個(gè)記憶周期:15天。

注意事項(xiàng):

1、每天連續(xù)背誦2個(gè)list,并完成復(fù)習(xí)任務(wù)。

2、復(fù)習(xí)永遠(yuǎn)比記新詞重要,要反復(fù)高頻率的復(fù)習(xí),復(fù)習(xí),再復(fù)習(xí)。

3、一天都不能間斷,堅(jiān)持挺過這15天,之后每天都要花大約1小時(shí)復(fù)習(xí)。

艾賓浩斯記憶法的益處:

1、艾賓浩斯記憶法對(duì)于任何學(xué)習(xí)材料的記憶都是行之有效的,可以極大地提高記憶效率,收到事半功倍的記憶效果。

2、記憶并不是最后目的,它只是一種手段,記憶的目的是儲(chǔ)備認(rèn)識(shí)問題和解決問題的能力。怎樣知道信息記住了多少,能力儲(chǔ)備得怎樣。

3、要想鞏固所學(xué)知識(shí),必須及時(shí)復(fù)習(xí);欲知記憶效果,應(yīng)該經(jīng)常進(jìn)行自我測(cè)驗(yàn),自測(cè)也是一種很好的復(fù)習(xí)方法,都是對(duì)艾賓浩斯記憶法的具體應(yīng)用。

以上就是記憶曲線背單詞時(shí)間表的全部?jī)?nèi)容,1、第一個(gè)記憶周期:5分鐘。2、第二個(gè)記憶周期:30分鐘。3、第三個(gè)記憶周期:12小時(shí)。4、第四個(gè)記憶周期:1天。5、第五個(gè)記憶周期:2天。6、第六個(gè)記棚陵憶周期:4天。7、第七個(gè)記憶周期:7天。8、。

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